Številka izdelka proizvajalca:
FDP047N08
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDP047N08-DG
Opis:
MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 75 V 164A (Tc) 268W (Tc) Through Hole TO-220-3
Zaloga:
4680 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12847162
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDP047N08 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tube
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
75 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
164A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
9415 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
268W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
FDP047
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDMC2610
MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
NTGS3433T1G
MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP
FDS6609A
MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC
