Številka izdelka proizvajalca:
FDS2572
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDS2572-DG
Opis:
MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Podroben opis:
N-Channel 150 V 4.9A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Zaloga:
19251 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12848563
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDS2572 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
UltraFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
150 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4.9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
47mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2050 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovna številka izdelka
FDS25
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
FDS2572TR
FDS2572DKR
FDS2572CT
2156-FDS2572-OS
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDD14AN06LA0-F085
MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AA
NTTFS4943NTAG
MOSFET N-CH 30V 8A/41A 8WDFN
IPD053N06N3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
