Številka izdelka proizvajalca:
FDS5670
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDS5670-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Podroben opis:
N-Channel 60 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Zaloga:
21413 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12846241
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDS5670 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
14mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2900 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovna številka izdelka
FDS56
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
FDS5670TR
2156-FDS5670-OS
ONSFSCFDS5670
FDS5670DKR
FDS5670CT
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
AON6916
MOSFET N-CH
FQU10N20CTU
MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
AO3407L
MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-3
