Številka izdelka proizvajalca:
FDZ299P
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDZ299P-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Podroben opis:
P-Channel 20 V 4.6A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 9-BGA (2x2.1)
Zaloga:
12846236
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDZ299P Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4.6A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
55mOhm @ 4.6A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
9 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
742 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.7W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
9-BGA (2x2.1)
Paket / Primer
9-WFBGA
Osnovna številka izdelka
FDZ29
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDB8441
MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB
FDD9407L-F085
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
FDS5670
MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
