Številka izdelka proizvajalca:
FDZ3N513ZT
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDZ3N513ZT-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP
Podroben opis:
N-Channel 30 V 1.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (0.96x0.96)
Zaloga:
12838288
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDZ3N513ZT Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.1A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
3.2V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
462mOhm @ 300mA, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
1 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
+5.5V, -0.3V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
85 pF @ 15 V
Funkcija FET
Schottky Diode (Body)
Odvajanje moči (maks.)
1W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 125°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
4-WLCSP (0.96x0.96)
Paket / Primer
4-UFBGA, WLCSP
Osnovna številka izdelka
FDZ3N
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
FDZ3N513ZTCT
FDZ3N513ZTDKR
FDZ3N513ZTTR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
SI8808DB-T2-E1
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
8727
ŠTEVILKA DELA
SI8808DB-T2-E1-DG
CENA ENOTE
0.11
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDP023N08B-F102
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
HUFA75343P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
FQD4P40TF
MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
