Številka izdelka proizvajalca:
FQA11N90C
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FQA11N90C-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 11A TO3P
Podroben opis:
N-Channel 900 V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Zaloga:
12848305
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FQA11N90C Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
900 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3290 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
300W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-3P
Paket / Primer
TO-3P-3, SC-65-3
Osnovna številka izdelka
FQA1
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
FQA11N90CFSINACTIVE
FQA11N90CFS
FQA11N90CFS-DG
Q2658628A
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STW7NK90Z
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
86
ŠTEVILKA DELA
STW7NK90Z-DG
CENA ENOTE
1.75
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IRFPF50PBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
466
ŠTEVILKA DELA
IRFPF50PBF-DG
CENA ENOTE
3.01
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RFP4N100
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO220-3
AOI1N60L
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
FDMS86163P
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
