Številka izdelka proizvajalca:
FQA33N10
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FQA33N10-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 36A TO3P
Podroben opis:
N-Channel 100 V 36A (Tc) 163W (Tc) Through Hole TO-3P
Zaloga:
12847159
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FQA33N10 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
36A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
52mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1500 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
163W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-3P
Paket / Primer
TO-3P-3, SC-65-3
Osnovna številka izdelka
FQA3
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Standardni paket
450
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
2SK1317-E
PROIZVAJALEC
Renesas Electronics Corporation
KOLIČINA NA VOLJO
5608
ŠTEVILKA DELA
2SK1317-E-DG
CENA ENOTE
3.29
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDMC86240
MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP
FDP047N08
MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
FDMC2610
MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
