FQB6N60CTM
Številka izdelka proizvajalca:

FQB6N60CTM

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FQB6N60CTM-DG

Opis:

MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Zaloga:

12848047
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FQB6N60CTM Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2Ohm @ 2.75A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
810 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
FQB6

Tehnični list in dokumenti

HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket
800

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA
STB4NK60ZT4
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
4369
ŠTEVILKA DELA
STB4NK60ZT4-DG
CENA ENOTE
0.77
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
onsemi

FDS3692

MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC

onsemi

FDMC2674

MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP

onsemi

FQP55N06

MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3

onsemi

FDT86102LZ

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4