Številka izdelka proizvajalca:
NTH4L045N065SC1
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
NTH4L045N065SC1-DG
Opis:
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Podroben opis:
N-Channel 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Zaloga:
484 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12964310
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NTH4L045N065SC1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
55A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
15V, 18V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
50mOhm @ 25A, 18V
vgs(th) (maks) @ id
4.3V @ 8mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
105 nC @ 18 V
Vgs (maks)
+22V, -8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1870 pF @ 325 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
187W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247-4L
Paket / Primer
TO-247-4
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
488-NTH4L045N065SC1
488-NTH4L045N065SC1DKRINACTIVE
488-NTH4L045N065SC1CT
488-NTH4L045N065SC1TR
488-NTH4L045N065SC1CTINACTIVE
488-NTH4L045N065SC1DKR
488-NTH4L045N065SC1TR-DG
488-NTH4L045N065SC1CT-DG
488-NTH4L045N065SC1DKR-DG
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SSM3K7002KF,LXHF
SMOS NCH I: 0.4A, V: 60V, P: 270
SQJA16EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
SIR122LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
