NTHL099N60S5
Številka izdelka proizvajalca:

NTHL099N60S5

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

NTHL099N60S5-DG

Opis:

NTHL099N60S5
Podroben opis:
N-Channel 600 V 33A (Tc) 184W (Tc) Through Hole TO-247-3

Zaloga:

302 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12966313
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

NTHL099N60S5 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tube
Serije
SuperFET® V
Stanje izdelka
Not For New Designs
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
33A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
99mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 2.8mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2500 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
184W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247-3
Paket / Primer
TO-247-3

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
488-NTHL099N60S5
Standardni paket
30

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
epc

EPC2067

TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA

onsemi

NTMTS1D6N10MCTXG

SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10

vishay-siliconix

SI7840BDP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI5424DC-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8