Številka izdelka proizvajalca:
NTMS4107NR2G
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
NTMS4107NR2G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Podroben opis:
N-Channel 30 V 11A (Ta) 930mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Zaloga:
12841335
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
4ARu
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NTMS4107NR2G Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
6000 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
930mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovna številka izdelka
NTMS41
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
ONSONSNTMS4107NR2G
2156-NTMS4107NR2G-ONTR
NTMS4107NR2G-DG
NTMS4107NR2GOSTR
NTMS4107NR2GOSCT
=NTMS4107NR2GOSCT-DG
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRF7832TRPBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
13071
ŠTEVILKA DELA
IRF7832TRPBF-DG
CENA ENOTE
0.57
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
SI4842BDY-T1-E3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
2491
ŠTEVILKA DELA
SI4842BDY-T1-E3-DG
CENA ENOTE
0.97
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
MGSF1N02LT1G
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
NTB52N10T4G
MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK
SFT1431-W
MOSFET N-CH 35V 11A IPAK/TP
