Številka izdelka proizvajalca:
NTMSD6N303R2
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
NTMSD6N303R2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
Podroben opis:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Zaloga:
12840046
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NTMSD6N303R2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
FETKY™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
32mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
950 pF @ 24 V
Funkcija FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvajanje moči (maks.)
2W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovna številka izdelka
NTMSD6
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
2156-NTMSD6N303R2-ONTR-DG
ONSONSNTMSD6N303R2
NTMSD6N303R2OS
2156-NTMSD6N303R2
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FCP20N60_G
MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
FDMS86202ET120
MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56
FQA36P15
MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN
