NP109N055PUJ-E1B-AY
Številka izdelka proizvajalca:

NP109N055PUJ-E1B-AY

Product Overview

Proizvajalec:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics Številka dela:

NP109N055PUJ-E1B-AY-DG

Opis:

MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Podroben opis:
N-Channel 55 V 110A (Ta) 1.8W (Ta), 220W (Tc) Surface Mount TO-263

Zaloga:

12860286
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

NP109N055PUJ-E1B-AY Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Renesas Electronics Corporation
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
55 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
110A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.2mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
10350 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.8W (Ta), 220W (Tc)
Delovna temperatura
175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Standardni paket
1,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA
AUIRFS3107TRL
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
3091
ŠTEVILKA DELA
AUIRFS3107TRL-DG
CENA ENOTE
3.30
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
SUM50020E-GE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
SUM50020E-GE3-DG
CENA ENOTE
1.18
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
PHB191NQ06LT,118
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
2694
ŠTEVILKA DELA
PHB191NQ06LT,118-DG
CENA ENOTE
1.18
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IPB90N06S4L04ATMA2
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
1281
ŠTEVILKA DELA
IPB90N06S4L04ATMA2-DG
CENA ENOTE
1.04
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
renesas-electronics-america

HAT2096H-EL-E

MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK

renesas-electronics-america

HS54095TZ-E

MOSFET N-CH 600V 200MA TO92-3

onsemi

NTTFS010N10MCLTAG

MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN

renesas-electronics-america

NP80N055KLE-E1-AY

MOSFET N-CH 55V 80A TO263