Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
NP109N055PUJ-E1B-AY
Product Overview
Proizvajalec:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Številka dela:
NP109N055PUJ-E1B-AY-DG
Opis:
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Podroben opis:
N-Channel 55 V 110A (Ta) 1.8W (Ta), 220W (Tc) Surface Mount TO-263
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12860286
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NP109N055PUJ-E1B-AY Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Renesas Electronics Corporation
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
55 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
110A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.2mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
10350 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.8W (Ta), 220W (Tc)
Delovna temperatura
175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
NP109N055PUJ
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
AUIRFS3107TRL
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
3091
ŠTEVILKA DELA
AUIRFS3107TRL-DG
CENA ENOTE
3.30
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
SUM50020E-GE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
SUM50020E-GE3-DG
CENA ENOTE
1.18
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
PHB191NQ06LT,118
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
2694
ŠTEVILKA DELA
PHB191NQ06LT,118-DG
CENA ENOTE
1.18
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IPB90N06S4L04ATMA2
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
1281
ŠTEVILKA DELA
IPB90N06S4L04ATMA2-DG
CENA ENOTE
1.04
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
HAT2096H-EL-E
MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
HS54095TZ-E
MOSFET N-CH 600V 200MA TO92-3
NTTFS010N10MCLTAG
MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN
NP80N055KLE-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 80A TO263