Številka izdelka proizvajalca:
NP35N04YUG-E1-AY
Product Overview
Proizvajalec:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Številka dela:
NP35N04YUG-E1-AY-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
Podroben opis:
N-Channel 40 V 35A (Tc) 1W (Ta), 77W (Tc) Surface Mount 8-HSON
Zaloga:
5000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12861388
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NP35N04YUG-E1-AY Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Renesas Electronics Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
35A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
10mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2850 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1W (Ta), 77W (Tc)
Delovna temperatura
175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-HSON
Paket / Primer
8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Osnovna številka izdelka
NP35N04
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
NP35N04YUG-E1-AYTR
NP35N04YUGE1AY
NP35N04YUG-E1-AY-DG
-1161-NP35N04YUG-E1-AYCT
NP35N04YUG-E1-AYDKR
NP35N04YUG-E1-AYCT
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
2SK1341-E
MOSFET N-CH 900V 6A TO3P
UPA2754GR(0)-E1-AY
TRANSISTOR
NP100N04PUK-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
