Številka izdelka proizvajalca:
NP36P04SDG-E1-AY
Product Overview
Proizvajalec:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Številka dela:
NP36P04SDG-E1-AY-DG
Opis:
MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Podroben opis:
P-Channel 40 V 36A (Tc) 1.2W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
Zaloga:
11306 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12860283
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NP36P04SDG-E1-AY Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Renesas Electronics Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
36A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
17mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2800 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.2W (Ta), 56W (Tc)
Delovna temperatura
175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252 (MP-3ZK)
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
NP36P04
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
NP36P04SDG-E1-AYDKR
NP36P04SDG-E1-AYTR
559-NP36P04SDG-E1-AYCT
NP36P04SDG-E1-AYDKR-DG
NP36P04SDG-E1-AYTR-DG
NP36P04SDG-E1-AYCT
NP36P04SDG-E1-AYCT-DG
NP36P04SDG-E1-AY-DG
NP36P04SDGE1AY
-1161-NP36P04SDG-E1-AYCT
559-NP36P04SDG-E1-AYDKR
559-NP36P04SDG-E1-AYTR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NP109N055PUJ-E1B-AY
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
HAT2096H-EL-E
MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
HS54095TZ-E
MOSFET N-CH 600V 200MA TO92-3
