EMA3T2R
Številka izdelka proizvajalca:

EMA3T2R

Product Overview

Proizvajalec:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Številka dela:

EMA3T2R-DG

Opis:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5

Zaloga:

13523929
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

EMA3T2R Tehnične specifikacije

Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi, prednapolnjeni
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50V
Upor - osnova (R1)
4.7kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
-
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
500nA (ICBO)
Frekvenca - prehod
250MHz
Moč - največja
150mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Paket naprav dobavitelja
EMT5
Osnovna številka izdelka
EMA3T2

Tehnični list in dokumenti

Viri za oblikovanje
Dokumenti o zanesljivosti
Podatkovni listi

Dodatne informacije

Standardni paket
8,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA
RN2710JE(TE85L,F)
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
3611
ŠTEVILKA DELA
RN2710JE(TE85L,F)-DG
CENA ENOTE
0.05
VRSTA NADOMESTILA
Direct
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
rohm-semi

EMD4T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

rohm-semi

EMG8T2R

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

rohm-semi

EMB11FHAT2R

TRANS 2PNP 100MA EMT6

rohm-semi

FMC3AT148

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT5