Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
EMD9T2R
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
EMD9T2R-DG
Opis:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Zaloga:
7970 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13520647
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
EMD9T2R Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi, prednapolnjeni
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50V
Upor - osnova (R1)
10kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
47kOhms
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
500nA
Frekvenca - prehod
250MHz
Moč - največja
150mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SOT-563, SOT-666
Paket naprav dobavitelja
EMT6
Osnovna številka izdelka
EMD9T2
Tehnični list in dokumenti
Viri za oblikovanje
EMT6 Inner Structure
Dokumenti o zanesljivosti
EMT6 DTR Reliability Test
Podatkovni listi
EMD9T2R
Dodatne informacije
Druga imena
EMD9T2RTR
EMD9T2RDKR
EMD9T2RCT
EMD9T2R-ND
Standardni paket
8,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
DCX114YH-7
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
3000
ŠTEVILKA DELA
DCX114YH-7-DG
CENA ENOTE
0.06
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
NSBC114YPDXV6T1G
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
12961
ŠTEVILKA DELA
NSBC114YPDXV6T1G-DG
CENA ENOTE
0.04
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
NSVBC114YPDXV6T1G
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
7880
ŠTEVILKA DELA
NSVBC114YPDXV6T1G-DG
CENA ENOTE
0.05
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
PEMD9,115
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
10895
ŠTEVILKA DELA
PEMD9,115-DG
CENA ENOTE
0.07
VRSTA NADOMESTILA
Direct
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
EMH1FHAT2R
NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
EMG11T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
EMB2T2R
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMG9T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5