Številka izdelka proizvajalca:
EMG5T2R
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
EMG5T2R-DG
Opis:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Zaloga:
2995 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13523835
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
EMG5T2R Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi, prednapolnjeni
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50V
Upor - osnova (R1)
10kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
47kOhms
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
500nA
Frekvenca - prehod
250MHz
Moč - največja
150mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Paket naprav dobavitelja
EMT5
Osnovna številka izdelka
EMG5T2
Tehnični list in dokumenti
Viri za oblikovanje
Dokumenti o zanesljivosti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
EMG5T2RCT
EMG5T2RDKR
EMG5T2RTR
Standardni paket
8,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
RN1707JE(TE85L,F)
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
3872
ŠTEVILKA DELA
RN1707JE(TE85L,F)-DG
CENA ENOTE
0.04
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
