Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
EMH3T2R
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
EMH3T2R-DG
Opis:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Zaloga:
528 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13521842
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
EMH3T2R Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi, prednapolnjeni
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50V
Upor - osnova (R1)
4.7kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
-
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
-
Frekvenca - prehod
250MHz
Moč - največja
150mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SOT-563, SOT-666
Paket naprav dobavitelja
EMT6
Osnovna številka izdelka
EMH3T2
Tehnični list in dokumenti
Viri za oblikovanje
EMT6 Inner Structure
Dokumenti o zanesljivosti
EMT6 DTRTG Reliability Test
Podatkovni listi
EMH3T2R
Dodatne informacije
Druga imena
EMH3T2R-ND
EMH3T2RTR
EMH3T2RCT
EMH3T2RDKR
Standardni paket
8,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
PEMD6,115
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
4000
ŠTEVILKA DELA
PEMD6,115-DG
CENA ENOTE
0.06
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
RN1910FE,LF(CT
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
4750
ŠTEVILKA DELA
RN1910FE,LF(CT-DG
CENA ENOTE
0.02
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
EMD22T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMB61T2R
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMB9T2R
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMB51T2R
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6