QS8J4TR
Številka izdelka proizvajalca:

QS8J4TR

Product Overview

Proizvajalec:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Številka dela:

QS8J4TR-DG

Opis:

MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Podroben opis:
Mosfet Array 30V 4A 550mW Surface Mount TSMT8

Zaloga:

8078 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13526152
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

QS8J4TR Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 P-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
30V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
56mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
13nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
800pF @ 10V
Moč - največja
550mW
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-SMD, Flat Lead
Paket naprav dobavitelja
TSMT8
Osnovna številka izdelka
QS8J4

Tehnični list in dokumenti

Dodatne informacije

Druga imena
QS8J4CT
QS8J4DKR
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
rohm-semi

QH8M22TCR

MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/2A TSMT8

rohm-semi

US6M2GTR

MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6

rohm-semi

QS8M13TCR

MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8

rohm-semi

SP8K3FU6TB

MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP