Številka izdelka proizvajalca:
QS8J4TR
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
QS8J4TR-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Podroben opis:
Mosfet Array 30V 4A 550mW Surface Mount TSMT8
Zaloga:
8078 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13526152
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
wUbV
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
QS8J4TR Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 P-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
30V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
56mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
13nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
800pF @ 10V
Moč - največja
550mW
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-SMD, Flat Lead
Paket naprav dobavitelja
TSMT8
Osnovna številka izdelka
QS8J4
Tehnični list in dokumenti
Viri za oblikovanje
Vodnik za oštevilčenje delov
Dokumenti o zanesljivosti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
QS8J4CT
QS8J4DKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
QH8M22TCR
MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/2A TSMT8
US6M2GTR
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
QS8M13TCR
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
