Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
R6007KNX
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
R6007KNX-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
Podroben opis:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220FM
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12818180
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
R6007KNX Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Bulk
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
7A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
620mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
470 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
46W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220FM
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
R6007
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
R6007KNX
HTML tehnični list
R6007KNX-DG
Tehnični listi
R6007KNX
Dodatne informacije
Druga imena
R6007KNXDKRINACTIVE
R6007KNXCTINACTIVE
846-R6007KNX
R6007KNXDKR-DG
R6007KNXCT
R6007KNXDKR
R6007KNXCT-DG
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
TK8A65D(STA4,Q,M)
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
53
ŠTEVILKA DELA
TK8A65D(STA4,Q,M)-DG
CENA ENOTE
0.92
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
R6007KNX
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
R6007KNX-DG
CENA ENOTE
1.02
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
ŠTEVILO DELA
IXTP4N70X2M
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
24
ŠTEVILKA DELA
IXTP4N70X2M-DG
CENA ENOTE
1.35
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RTQ020N05HZGTR
MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6
RSQ020N03HZGTR
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
RTR030N05HZGTL
MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
US6U37TR
MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6