Številka izdelka proizvajalca:
R6013VNXC7G
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
R6013VNXC7G-DG
Opis:
600V 8A TO-220FM, PRESTOMOS WITH
Podroben opis:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220FM
Zaloga:
1080 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13001925
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
R6013VNXC7G Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V, 15V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
300mOhm @ 3A, 15V
vgs(th) (maks) @ id
6.5V @ 500µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
900 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
54W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220FM
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
R6013VN
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
846-R6013VNXC7G
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
ICE10N60FP
Superjunction MOSFET
ICE60N130W
Superjunction MOSFET
SIHK105N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
