Številka izdelka proizvajalca:
RQ3E080GNTB
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
RQ3E080GNTB-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Podroben opis:
N-Channel 30 V 8A (Ta) 2W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Zaloga:
2993 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13526310
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RQ3E080GNTB Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
16.7mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
295 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2W (Ta), 15W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-HSMT (3.2x3)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
RQ3E080
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
RQ3E080GNTBCT
RQ3E080GNTBTR
RQ3E080GNTBDKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
DMN3027LFG-7
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
2854
ŠTEVILKA DELA
DMN3027LFG-7-DG
CENA ENOTE
0.21
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
R5007ANJTL
MOSFET N-CH 500V 7A LPTS
RSS060P05FU6TB
MOSFET P-CH 45V 6A 8SOP
RQ5L020SNTL
MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3