Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
RSJ650N10TL
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
RSJ650N10TL-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
Podroben opis:
N-Channel 100 V 65A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount LPTS
Zaloga:
970 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13526366
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RSJ650N10TL Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
65A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9.1mOhm @ 32.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
10780 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
100W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
LPTS
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
RSJ650
Tehnični list in dokumenti
Viri za oblikovanje
LPTSNi Inner Structure
Dokumenti o zanesljivosti
LPTS MOS Reliability Test
Podatkovni listi
RSJ650N10
LPTS TL Taping Spec
Dodatne informacije
Druga imena
RSJ650N10TLDKR
RSJ650N10TLCT
RSJ650N10TLTR
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IXFA130N10T2
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IXFA130N10T2-DG
CENA ENOTE
2.41
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IXTA130N10T-TRL
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IXTA130N10T-TRL-DG
CENA ENOTE
2.33
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IXTA130N10T7
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IXTA130N10T7-DG
CENA ENOTE
2.91
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IRLS4030TRLPBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
1350
ŠTEVILKA DELA
IRLS4030TRLPBF-DG
CENA ENOTE
1.89
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RS1G120MNTB
MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
RSM002N06T2L
MOSFET N-CH 60V 250MA VMT3
RSF014N03TL
MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3
SCT3040KLHRC11
SICFET N-CH 1200V 55A TO247N