Številka izdelka proizvajalca:
STD18N65M5
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STD18N65M5-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 15A DPAK
Podroben opis:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Zaloga:
12872659
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STD18N65M5 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
MDmesh™ V
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
15A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
220mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1240 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
110W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DPAK
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
STD18
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-13088-6
497-13088-2
497-13088-1
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPD65R225C7ATMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
3863
ŠTEVILKA DELA
IPD65R225C7ATMA1-DG
CENA ENOTE
1.04
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IPD60R280P7SAUMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
2511
ŠTEVILKA DELA
IPD60R280P7SAUMA1-DG
CENA ENOTE
0.43
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STD6N65M2
MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
STF33N60DM6
MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP
STF7N52DK3
MOSFET N-CH 525V 6A TO220FP
