Številka izdelka proizvajalca:
STI18N65M5
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STI18N65M5-DG
Opis:
MOSFET N CH 650V 15A I2PAK
Podroben opis:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK
Zaloga:
348 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12875459
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STI18N65M5 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
MDmesh™ V
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
15A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
220mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1240 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
110W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
I2PAK
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
STI18N
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-13272-5
-497-13272-5
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPI60R190C6XKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
495
ŠTEVILKA DELA
IPI60R190C6XKSA1-DG
CENA ENOTE
1.43
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
STP18N65M5
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
896
ŠTEVILKA DELA
STP18N65M5-DG
CENA ENOTE
1.26
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP40NF12
MOSFET N-CH 120V 40A TO220AB
STW13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
STL3N65M2
MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
