Številka izdelka proizvajalca:
STI360N4F6
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STI360N4F6-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Podroben opis:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Zaloga:
12877158
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STI360N4F6 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
-
Serije
DeepGATE™, STripFET™ VI
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
120A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.8mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
340 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
17930 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
300W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-262 (I2PAK)
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
STI360N
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
STI360N4F6-DG
-497-14565-5
497-14565-5
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP33N65M2
MOSFET N-CH 650V 24A TO220
STP190N55LF3
MOSFET N-CH 55V 120A TO220-3
STB76NF75
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
