Številka izdelka proizvajalca:
STL115N10F7AG
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STL115N10F7AG-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
Podroben opis:
N-Channel 100 V 107A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerFlat™ (5x6)
Zaloga:
4731 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12878652
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STL115N10F7AG Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
STripFET™ F7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
107A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6mOhm @ 53A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
72.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5600 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
136W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount, Wettable Flank
Paket naprav dobavitelja
PowerFlat™ (5x6)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
STL115
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
497-17622-2
497-17622-1
497-17622-6
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STF27N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
STW65N60DM6
MOSFET N-CH 600V 38A TO247
SI2101-TP
MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323
