Številka izdelka proizvajalca:
STP11NM60A
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STP11NM60A-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
12873739
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STP11NM60A Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
-
Serije
MDmesh™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
450mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1211 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
110W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
STP11N
Dodatne informacije
Druga imena
497-4368-5
-497-4368-5
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
SPP11N80C3XKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
6913
ŠTEVILKA DELA
SPP11N80C3XKSA1-DG
CENA ENOTE
1.21
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IXTP8N65X2
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IXTP8N65X2-DG
CENA ENOTE
1.40
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
FCP11N60F
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
996
ŠTEVILKA DELA
FCP11N60F-DG
CENA ENOTE
1.38
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP9NK70Z
MOSFET N-CH 700V 7.5A TO220AB
STD3NM60-1
MOSFET N-CH 600V 3A IPAK
STQ2LN60K3-AP
MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3
