Številka izdelka proizvajalca:
STP12NM50
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STP12NM50-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
756 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12877100
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STP12NM50 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
MDmesh™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
12A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
350mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 50µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1000 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
160W (Tc)
Delovna temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
STP12
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-2666-5
1026-STP12NM50
497-2666-5-NDR
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP5N120
MOSFET N-CH 1200V 4.7A TO220-3
STR2P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
STL16N65M2
MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
