Številka izdelka proizvajalca:
STP16NK65Z
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STP16NK65Z-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 13A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
12945890
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STP16NK65Z Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
-
Serije
SuperMESH™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
13A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
500mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 100µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2750 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
190W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
STP16N
Dodatne informacije
Druga imena
497-4119-5-NDR
-497-4119-5
1805-STP16NK65Z
497-4119-5
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STD2NK70ZT4
MOSFET N-CH 700V 1.6A DPAK
STL190N4F7AG
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
R8001CND3FRATL
MOSFET N-CH 800V 1A TO252