Številka izdelka proizvajalca:
STP18N60M6
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STP18N60M6-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 13A TO220
Podroben opis:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
12875916
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STP18N60M6 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
MDmesh™ M6
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
13A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.75V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
650 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
110W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
STP18
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
FCP220N80
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
180
ŠTEVILKA DELA
FCP220N80-DG
CENA ENOTE
4.93
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STI32N65M5
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
STH52N10LF3-2AG
MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2
STU6N60DM2
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
