Številka izdelka proizvajalca:
STP21N65M5
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STP21N65M5-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 650 V 17A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
2997 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12871423
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STP21N65M5 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
MDmesh™ V
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
17A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
190mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1950 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
125W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
STP21
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-10077-5
497-STP21N65M5
497-10077-5-DG
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STD95N2LH5
MOSFET N-CH 25V 80A DPAK
STP90N6F6
MOSFET N-CH 60V 84A TO220
STP18N60DM2
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
