Številka izdelka proizvajalca:
STP8NK100Z
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STP8NK100Z-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 1000 V 6.5A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
909 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12879887
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STP8NK100Z Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
SuperMESH™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1000 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.85Ohm @ 3.15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 100µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2180 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
160W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
STP8NK100
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-5021-5
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP315N10F7
MOSFET N-CH 100V 180A TO220
STP25NM60ND
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
STW48N60M6
MOSFET N-CH 600V 39A TO247
