Številka izdelka proizvajalca:
STU4N52K3
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STU4N52K3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 525V 2.5A IPAK
Podroben opis:
N-Channel 525 V 2.5A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK
Zaloga:
2513 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12875788
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STU4N52K3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
SuperMESH3™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
525 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.6Ohm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 50µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
334 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
45W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
I-PAK
Paket / Primer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Osnovna številka izdelka
STU4N52
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-12363
-497-12363
Standardni paket
75
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STF10NM60ND
MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
STH275N8F7-2AG
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
STL18N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT
