Številka izdelka proizvajalca:
CSD18511KTTT
Product Overview
Proizvajalec:
Texas Instruments
DiGi Electronics Številka dela:
CSD18511KTTT-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK
Podroben opis:
N-Channel 40 V 110A (Ta), 194A (Tc) 188W (Ta) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
Zaloga:
641 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12815540
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
CSD18511KTTT Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Texas Instruments
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
NexFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
110A (Ta), 194A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5940 pF @ 20 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
188W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (DDPAK-3)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
CSD18511
Tehnični list in dokumenti
Stran izdelka proizvajalca
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
296-47449-2
296-47449-1
296-47449-6
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
2 (1 Year)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
CSD16415Q5T
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
EPC2035
GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
SPD03N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 500V 3.2A TO252-3
