Številka izdelka proizvajalca:
CSD18543Q3AT
Product Overview
Proizvajalec:
Texas Instruments
DiGi Electronics Številka dela:
CSD18543Q3AT-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON
Podroben opis:
N-Channel 60 V 12A (Ta), 60A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.3)
Zaloga:
10097 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12788608
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
CSD18543Q3AT Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Texas Instruments
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
NexFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
12A (Ta), 60A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
15.6mOhm @ 12A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
2.7V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1150 pF @ 30 V
Funkcija FET
Standard
Odvajanje moči (maks.)
66W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-VSONP (3x3.3)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
CSD18543
Tehnični list in dokumenti
Stran izdelka proizvajalca
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
296-45302-2
296-45302-1
296-45302-6
Standardni paket
250
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
CSD22202W15
MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA
CSD13303W1015
MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
CSD17313Q2
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
