Številka izdelka proizvajalca:
2SK3700(F)
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
2SK3700(F)-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 5A TO3P
Podroben opis:
N-Channel 900 V 5A (Ta) 150W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Zaloga:
122 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890167
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
2SK3700(F) Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Bulk
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
900 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5A (Ta)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1150 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
150W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-3P(N)
Paket / Primer
TO-3P-3, SC-65-3
Osnovna številka izdelka
2SK3700
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK20N60W,S1VF
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
SSM3J15CT(TPL3)
MOSFET P-CH 30V 100MA CST3
2SK2989(T6CANO,F,M
MOSFET N-CH TO92MOD
