Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
TK20N60W,S1VF
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK20N60W,S1VF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Podroben opis:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-247
Zaloga:
15 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890178
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK20N60W,S1VF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
DTMOSIV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
20A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
155mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.7V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1680 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
165W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
TK20N60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
TK20N60W
Dodatne informacije
Druga imena
TK20N60W,S1VF(S
TK20N60WS1VF
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IXTH24N65X2
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
268
ŠTEVILKA DELA
IXTH24N65X2-DG
CENA ENOTE
2.98
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
SIHG22N60E-GE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
498
ŠTEVILKA DELA
SIHG22N60E-GE3-DG
CENA ENOTE
1.88
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IXTH20N65X2
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
241
ŠTEVILKA DELA
IXTH20N65X2-DG
CENA ENOTE
3.04
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IXFH18N65X2
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IXFH18N65X2-DG
CENA ENOTE
3.90
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IPW60R180P7XKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
237
ŠTEVILKA DELA
IPW60R180P7XKSA1-DG
CENA ENOTE
1.54
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SSM3J15CT(TPL3)
MOSFET P-CH 30V 100MA CST3
2SK2989(T6CANO,F,M
MOSFET N-CH TO92MOD
TK10V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 9.7A 4DFN
SSM3K59CTB,L3F
MOSFET N-CH 40V 2A CST3B