Številka izdelka proizvajalca:
SSM3K59CTB,L3F
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
SSM3K59CTB,L3F-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
Podroben opis:
N-Channel 40 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount CST3B
Zaloga:
12890195
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SSM3K59CTB,L3F Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.8V, 8V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
215mOhm @ 1A, 8V
vgs(th) (maks) @ id
1.2V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
1.1 nC @ 4.2 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
130 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1W (Ta)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
CST3B
Paket / Primer
3-SMD, No Lead
Osnovna številka izdelka
SSM3K59
Dodatne informacije
Druga imena
264-SSM3K59CTB,L3FDKR
SSM3K59CTBL3FCT
264-SSM3K59CTB,L3FCT
SSM3K59CTB,L3F(A
SSM3K59CTBL3FDKR-DG
SSM3K59CTBL3FDKR
SSM3K59CTBL3FTR-DG
264-SSM3K59CTB,L3FTR
SSM3K59CTBL3FCT-DG
SSM3K59CTBL3FTR
Standardni paket
10,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPN1600ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
SSM3J117TU,LF
MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM
TPWR8004PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
