Številka izdelka proizvajalca:
RN1909FE(TE85L,F)
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
RN1909FE(TE85L,F)-DG
Opis:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Zaloga:
3948 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889550
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RN1909FE(TE85L,F) Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi, prednapolnjeni
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50V
Upor - osnova (R1)
47kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
22kOhms
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
100nA (ICBO)
Frekvenca - prehod
250MHz
Moč - največja
100mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SOT-563, SOT-666
Paket naprav dobavitelja
ES6
Osnovna številka izdelka
RN1909
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
RN1909FE(TE85LF)DKR
RN1909FE(TE85LF)TR
RN1909FE(TE85LF)CT
Standardni paket
4,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RN4611(TE85L,F)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
RN1910,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
RN1904,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
