Številka izdelka proizvajalca:
RN2117MFV,L3F
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
RN2117MFV,L3F-DG
Opis:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Zaloga:
8000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890966
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RN2117MFV,L3F Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Enojni, predpripravljen bipolarni tranzistorji
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
PNP - Pre-Biased
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100 mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50 V
Upor - osnova (R1)
10 kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
4.7 kOhms
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
500nA
Moč - največja
150 mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SOT-723
Paket naprav dobavitelja
VESM
Osnovna številka izdelka
RN2117
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
264-RN2117MFV,L3FDKR
RN2117MFVL3F
264-RN2117MFV,L3FCT
264-RN2117MFV,L3FTR
RN2117MFVL3F-DG
Standardni paket
8,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RN1108MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN2421(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
RN1117MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
