Številka izdelka proizvajalca:
RN4985FE,LF(CT
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
RN4985FE,LF(CT-DG
Opis:
NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Zaloga:
259 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889099
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RN4985FE,LF(CT Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi, prednapolnjeni
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50V
Upor - osnova (R1)
2.2kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
47kOhms
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
500nA
Frekvenca - prehod
250MHz, 200MHz
Moč - največja
100mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SOT-563, SOT-666
Paket naprav dobavitelja
ES6
Osnovna številka izdelka
RN4985
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
RN4985FE,LF(CB
RN4985FELF(CTDKR
RN4985FELF(CTTR
RN4985FELF(CTCT
Standardni paket
4,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
DCX123JH-7
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
DCX123JH-7-DG
CENA ENOTE
0.06
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RN4990(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4906FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4987FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6