Številka izdelka proizvajalca:
SSM3J15FU,LF
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
SSM3J15FU,LF-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Podroben opis:
P-Channel 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount USM
Zaloga:
3484 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890803
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SSM3J15FU,LF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
π-MOSVI
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
100mA (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
12Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (maks) @ id
1.7V @ 100µA
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
9.1 pF @ 3 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
150mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
USM
Paket / Primer
SC-70, SOT-323
Osnovna številka izdelka
SSM3J15
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
SSM3J15FULFTR
SSM3J15FU,LF(T
SSM3J15FU,LF(B
SSM3J15FULFCT
SSM3J15FULFDKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK12Q60W,S1VQ
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
TK10A80E,S4X
MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
TPW4R50ANH,L1Q
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
