Številka izdelka proizvajalca:
SSM3K56MFV,L3F
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
SSM3K56MFV,L3F-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
Podroben opis:
N-Channel 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Zaloga:
35190 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889234
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SSM3K56MFV,L3F Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
800mA (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
235mOhm @ 800mA, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
1 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
55 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
150mW (Ta)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
VESM
Paket / Primer
SOT-723
Osnovna številka izdelka
SSM3K56
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
SSM3K56MFVL3FDKR
SSM3K56MFVL3FTR
SSM3K56MFV,L3F(B
SSM3K56MFV,L3F(T
SSM3K56MFVL3FCT
Standardni paket
8,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK80S06K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
TK13E25D,S1X(S
MOSFET N-CH 250V 13A TO220-3
SSM3J372R,LF
MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
