Številka izdelka proizvajalca:
TK13E25D,S1X(S
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK13E25D,S1X(S-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V 13A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 250 V 13A (Ta) 102W (Tc) Through Hole TO-220-3
Zaloga:
44 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889248
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK13E25D,S1X(S Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
250 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
13A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
250mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1100 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
102W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
TK13E25
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK13E25DS1XS
TK13E25DS1X(S
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRF644PBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
1392
ŠTEVILKA DELA
IRF644PBF-DG
CENA ENOTE
0.65
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SSM3J372R,LF
MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
TK20C60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
TK8A55DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 7.5A TO220SIS
