Številka izdelka proizvajalca:
SSM6J414TU,LF
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
SSM6J414TU,LF-DG
Opis:
MOSFET P CH 20V 6A UF6
Podroben opis:
P-Channel 20 V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount UF6
Zaloga:
5120 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889311
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SSM6J414TU,LF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVI
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
22.5mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
23.1 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1650 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1W (Ta)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
UF6
Paket / Primer
6-SMD, Flat Leads
Osnovna številka izdelka
SSM6J414
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
SSM6J414TULF(TDKR
SSM6J414TULF(TTR
SSM6J414TU,LF(T
SSM6J414TULFDKR
SSM6J414TULF
SSM6J414TU,LFCT
SSM6J414TULF(TCT
SSM6J414TULF(TCT-DG
SSM6J414TULF(TDKR-DG
SSM6J414TULFCT
SSM6J414TULF(TTR-DG
SSM6J414TULFTR
SSM6J414TU,LFDKR
SSM6J414TU,LFTR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SSM3K37CT,L3F
MOSFET N-CH 20V 200MA CST3
TK20J60U(F)
MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
TK10J80E,S1E
MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
