Številka izdelka proizvajalca:
TK10J80E,S1E
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK10J80E,S1E-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Podroben opis:
N-Channel 800 V 10A (Ta) 250W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Zaloga:
25 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889322
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK10J80E,S1E Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
π-MOSVIII
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2000 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
250W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-3P(N)
Paket / Primer
TO-3P-3, SC-65-3
Osnovna številka izdelka
TK10J80
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK10J80E,S1E(S
TK10J80ES1E
Standardni paket
25
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK290A65Y,S4X
MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS
TK100E10N1,S1X
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
