Številka izdelka proizvajalca:
SSM6K217FE,LF
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
SSM6K217FE,LF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Podroben opis:
N-Channel 40 V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Zaloga:
25332 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12891400
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SSM6K217FE,LF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.8A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.8V, 8V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
195mOhm @ 1A, 8V
vgs(th) (maks) @ id
1.2V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
1.1 nC @ 4.2 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
130 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
500mW (Ta)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
ES6
Paket / Primer
SOT-563, SOT-666
Osnovna številka izdelka
SSM6K217
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
SSM6K217FELFCT
SSM6K217FE,LF(A
SSM6K217FELFTR
SSM6K217FELFDKR
Standardni paket
4,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPH1R005PL,L1Q
MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP
TK65G10N1,RQ
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
TK650A60F,S4X
MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS
