Številka izdelka proizvajalca:
TK040N65Z,S1F
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK040N65Z,S1F-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 57A TO247
Podroben opis:
N-Channel 650 V 57A (Ta) 360W (Tc) Through Hole TO-247
Zaloga:
90 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890476
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK040N65Z,S1F Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
57A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
40mOhm @ 28.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 2.85mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
6250 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
360W (Tc)
Delovna temperatura
150°C
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
TK040N65
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK040N65Z,S1F(S
TK040N65ZS1F
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SSM3K16CT,L3F
MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
TPN22006NH,LQ
MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
TPC8125,LQ(S
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
